В 2026 году российские космонавты проведут на орбите второй этап эксперимента с использованием первой российской установки для выращивания полупроводников. Используется оборудование, созданное в Институте физики полупроводников Сибирского отделения Российской академии наук (Новосибирск). Первый этап был успешно выполнен на борту нашего сегмента МКС осенью минувшего года.
На первом этапе проекта отработан подход к созданию технологии синтеза пленок на орбите. Эксперимент, который провели на российской установке, исследовал условия космического вакуума, который позволяет делать поверхность полупроводника без примесей кислорода и углерода. На основе полученных результатов ученые прогнозируют, что требуется для производства, анализируют образцы кристаллов, полученные в космосе.
Все элементы новой российской установки для эксперимента МКС были созданы нашими учеными и практически «с нуля»: и нагреватель подложки, и молекулярные источники, и механизм передачи подложек — в обычных наземных установках они сделаны иначе. Специалисты ИФП СО РАН сделали «космическую» установку молекулярно-лучевой эпитаксии с нуля, с учетом ограничений — небольшого веса и габаритов, радиационной стойкости комплектующих, необычного поведения вещества в условиях воздействия факторов космического пространства. В ходе эксперимента отрабатывается рост кристаллической пленки арсенида галлия на подложке из арсенида галлия. Это один из самых популярных полупроводников, он используется в силовой электронике, для изготовления лазеров, фотодиодов, солнечных батарей.
В перспективе новая информация, полученная нашими учеными, может использоваться для развертывания полупроводникового производства на орбите. В частности, для получения фоточувствительных материалов для солнечных батарей. Долгосрочное продолжение эксперимента организуют на борту Российской орбитальной станции, которую планируется начать собирать в 2027 году.
Комментарии (0)